Titelaufnahme

Titel
Polarisationsabhängige Transmissionseigenschaften von integriert optischen Wellenleitern auf Siliziumbasis / von Daniel Pergande
VerfasserPergande, Daniel
GutachterWehrspohn, Ralf B. ; Hergert, Wolfgang ; Krauss, Thomas F.
Erschienen2009 ; Halle, Saale : Universitäts- und Landesbibliothek Sachsen-Anhalt, 2009
UmfangOnline-Ressource (112 S. = 6,62 mb) : Ill., graph. Darst.
HochschulschriftHalle, Univ., Naturwissenschaftliche Fakultät II, Diss., 2009
Anmerkung
Tag der Verteidigung: 17.11.2009
Sprache der Zusammenfassung: Englisch
SpracheDeutsch
DokumenttypE-Book
SchlagwörterHalle
URNurn:nbn:de:gbv:3:4-1583 
Zugriffsbeschränkung
 Das Dokument ist frei verfügbar.
Dateien
Polarisationsabhängige Transmissionseigenschaften von integriert optischen Wellenleitern auf Siliziumbasis [6.61 mb]
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Nachweis
Keywords
integrierte Optik; Wellenleiter; photonische Kristalle; Polarisationskonversion; SOI; Silizium
Keywords (Englisch)
integrated optics; waveguides; photonic crystals; polarisation crosstalk; SOI; silicon
Keywords
In dieser Arbeit wurden zwei verschiedene siliziumbasierte Materialsysteme für die integrierte Optik charakterisiert. Die Proben wurden von externen Partnern hergestellt. Die Vereinzelung der Proben in einzelne Chips durch Sägen und Polieren wurde im Rahmen dieser Arbeit entwickelt. Um die Proben charakterisieren zu können wurde ein entsprechender Koppelmessplatz aufgebaut. In dieser Arbeit wurden konventionelle SOI (Silicon-On-Insulator)-Streifenwellenleiter auf ihre polarisationsabhängigen Eigenschaften bezüglich der Wellenleitung von eingekoppeltem Licht im Spektralbereich für die Telekommunikation (1510 – 1630 nm) charakterisiert. Diese Messungen sollten als Referenz für die eingesetzten Methoden und für das anschließend untersuchte IOSOI (Insulator-On-Silicon-On-Insulator)-Materialsystem dienen. Es wurden die Modenprofile die Propagationsverluste und die Gruppenindex-Dispersion für beide Polarisationen bestimmt. Die untersuchten Strukturen hatten eine Breite von 550 nm und 890 nm. Es wurde gezeigt dass im konventionellen SOI-Materialsystem aufgrund des mit 1 µm zu dünnen Pufferoxid für TM-Polarisation keine (verlustarme) Propagation möglich ist. Des weiteren wurden konventionelle Streifenwellenleiter und W1-photonische-Kristall-Wellenleiter im neuartigen IOSOI-Materialsystem untersucht. Es wurden von 890 nm und 2 µm breiten Streifenwellenleitern die Modenprofile die Propagationsverluste und die Gruppenindex-Dispersion für beide Polarisationen bestimmt. Es konnte hier gezeigt werden dass ein ausreichend dickes Puffer-Oxid (3 µm) eine Propagation von TM-polarisiertem Licht ermöglicht. Im IOSOI-Materialsystem wurden außerdem W1-photonische-Kristall-Wellenleiter realisiert. Hier wurde gezeigt dass ebenfalls für TM-Polarisation verlustarme Propagation von Licht möglich ist. Außerdem wurde ein Polarisations-Übersprechen von 15 dB nachgewiesen. Dies ist auf Streu- und Koppeleffekte an den Endflächen der photonischen-Kristall-Wellenleiter zurückzuführen.