Titelaufnahme

Titel
Fabrication and thermoelectric characterization of nanostructured Silicon / von Johannes de Boor
VerfasserBoor, Johannes
BetreuerLeipner, Hartmut Dr. ; Nielsch, Kornelius Prof. Dr. ; Völklein, Friedemann Prof. Dr.
Erschienen2011 ; Halle, Saale : Universitäts- und Landesbibliothek Sachsen-Anhalt, 2011
UmfangOnline-Ressource (X, 104, L S. = 10,26 mb)
HochschulschriftHalle, Univ., Naturwissenschaftliche Fakultät II, Diss., 2011
Anmerkung
Tag der Verteidigung: 08.06.2011
Sprache der Zusammenfassung: Deutsch
SpracheEnglisch
DokumenttypE-Book
SchlagwörterThermoelektrizität / Silicium / Nanodraht / Halle
URNurn:nbn:de:gbv:3:4-5657 
Zugriffsbeschränkung
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Dateien
Fabrication and thermoelectric characterization of nanostructured Silicon [10.25 mb]
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Nachweis
Keywords
Thermoelektrik; poröses Silicium; Siliciumnanodrähte; Messtechnik; 3-omega-Methode; van der Pauw-Methode; Laserinterferenzlithografie; nasschemisches Ätzen; thermische Eigenschaften; elektrische Eigenschaften
Keywords (Englisch)
thermoelectric; porous silicon; silicon nanowires; measurement technique; 3-omega method; van der Pauw method; laser interference lithography; wet chemical etching; thermal properties; electrical properties
Keywords
Diese Dissertation setzt sich aus einer Einführung in das Gebiet der Thermoelektrik sowie 3 weiteren Kapiteln zusammen welche jeweils einen Aspekt von nanostrukturiertem Silicium im Hinblick auf eine mögliche Verwendung als thermoelektrisches Materials untersuchen. In Kapitel 2 wird die Herstellung einkristalliner und homogener Silicium Nanodrahtfelder unter Verwendung von Laserinterferenzlithografie und nasschemischen Ätzen gezeigt. Mit den verwendeten Methoden konnten Drähte mit Durchmessern bis zu 65 nm großflächig hergestellt werden. In Kapitel 3 wird eine Messmethode zur vollständigen Charakterisierung von thermoelektrischen Materialien vorgestellt. Diese im Rahmen der Arbeit entwickelte Messmethode erlaubt die quasi-gleichzeitige Messung der elektrischen und der thermischen Leitfähigkeit sowie des Seebeckkoeffizienten und ther thermoelektrischen Gütezahl. In Kapitel 4 werden die thermoelektrischen Eigenschaften von porösem Silicium untersucht. Messungen der elektrischen und thermischen Leitfähigkeit sowie der Gütezahl zeigen dass es möglich ist die thermoelektrischen Eigenschaften gegenüber Bulk-Silicium zu verbessern.