Mit dieser Arbeit werden die Möglichkeiten zur Defektcharakterisierung aufgezeigt, die sich ergeben, wenn man die Positronenstrahlmethode in ihren bekannten Techniken kombiniert und die experimentellen Befunde mit den Ergebnissen anderer Untersuchungsmethoden vergleicht. Da spezielle Probleme der Detektierung und Charakterisierung von Defekten damit nicht zu lösen waren, stellt einen Schwerpunkt der Arbeit die praktische Umsetzung neuer Techniken der Positronenstrahlmethode dar. Ziel war es, die Leistungsfähigkeit solcher neuen Techniken an Beispielen nachzuweisen, für die es bis dato noch nicht gelungen war, den Charakter von Defekten näher zu beschreiben. Es wurden dazu wissenschaftliche Fragestellungen technologie- und anwendungsnaher Probleme gewählt, um zu demonstrieren, daß die Positronenstrahlmethode ein geeignetes Werkzeug für physikalische Untersuchungen in der materialwissenschaftlichen Forschung ist. So konnte nachgewiesen werden, daß die Methode sensitiv auf Leerstellen ist, die durch die mechanische Deformation während des Sägens von GaAs-Einkristallen in das Material eingeführten werden. Es konnte gezeigt werden, daß die Tiefe bis zu der diese leerstellenartigen Defekte zu detektieren sind, identisch mit den Schneidprozessen von Versetzungshalbringen sind, die auf (111)-Ebenen von der Oberfläche in das Materialinnere verlaufen. Die Leerstellengeneration kann aufgrund dieser übereinstimmung mit dem Modell des jog-dragging erklärt werden. Im Rahmen einer Untersuchung einer Serie von 6 GaAs-Scheiben gelang der Nachweis des funktionellen Zusammenhanges zwischen dem angelegten Vorschub des Sägeblattes und der bestimmten Schädigungstiefe. Für die als Solarzellenmaterial genutzte, In-reich gezüchtete Verbindung CuIn(Ga)Se2 ist bisher relativ wenig über energetische Defektniveaus noch die dafür verantwortlichen Defekte bekannt. Die Untersuchungen im Rahmen dieser Arbeit an In-reichem CuIn(Ga)Se2 konnten den Nachweis des Vorhandenseins von Cu-Leerstellen-korrelierten Doppelleerstellen erbringen. Durch die Charakterisierung des Materials nach Temperung an Luft, die technologische Bedeutung durch die Verbesserung des Wirkungsgrades der Dünnschicht-Solarzellen besitzt, gelang eine indirekte Indentifikation der als Donator wirksamen Se-Leerstellen im Zustand nach dem Wachstum. Durch die praktische Umsetzung einer Ätztechnik mittels Ionen-Zerstäubung, die eine Verbesserung der Tiefenauflösung der Positronenstrahlmethode zum Ziel hat, konnte eine entscheidender Durchbruch in der Charakterisierung von nach Ausheilung in hochenergetisch ionenimplantiertem Si verbleibenden Defekten erzielt werden. Für das mit hochenergetischen Ionen implantierte Si nach RTA-Ausheilung (30 s) bei 900°C zeigen sich zwei Tiefenbereiche mit unterschiedlichen Defektarten. In der Region um die projizierte Reichweite der implantierten Ionen Rp werden mit den Positronen als Sonde leerstellenartige Defekte intrinsischer Natur mit dem offenem Volumen einer Einfachleerstelle gefunden, die mit dem mittels TEM nachweisbarem Versetzungsnetzwerk aus Zwischengitteratomringen korrelliert. Im Bereich zwischen Rp und der Oberfläche können aufgrund der verbesserten Tiefenauflösung nach der Ausheilung des implantierten Si thermisch stabile Leerstellenagglomerate in einer Konzentration oberhalb des Sensitivitätslimits der Positronenstrahlmethode detektiert werden. |