In der vorliegenden Arbeit wird diskutiert, welchen Einfluß ein Plasma auf die Eigenschaften monokristalliner Siliziumoberflächen unter dem Aspekt des direkten Waferbondens hat. Dabei konzentrieren sich die Untersuchungen auf die Behandlung in einem Sauerstoffplasma. Im Vordergrund steht eine Charakterisierung unter " realen" Bedingungen - eben jene Bedingungen, die auch im industriellen Waferbondprozeß vorherrschen. Es wird gezeigt, daß das Plasma eine Modifikation der Oberfläche bzw. des Oberflächenoxids verursacht, in deren Folge es zu einer zeitlich begrenzten Aktivierung der Siliziumoberfläche kommt. Durch den Kontakt mit der Umgebungsatmosphäre im Anschluß an die Plasmabehandlung finden auf der Waferoberfläche verschiedene Reaktionen statt, wobei sich vermehrt Wasser anlagert und oberflächengebundene Hydroxyl-Gruppen (Silanol-Gruppen) gebildet werden. Werden die so vorbehandelten Siliziumwafer gebondet und bei rund 300°C für etwa 2h wärmebehandelt, so lassen sich, verglichen mit einem standardmäßig gereinigten Silizium-Waferpaar, deutlich höhere Grenzflächenenergien erreichen. Dieses Phänomen beruht einerseits auf einer Steigerung der Anzahl der bindungsfähigen Oberflächenspezies und andererseits auf der Modifikation des Oberflächenoxids. Die Abdiffusion der Grenzflächenwassermoleküle wird stark begünstigt. Zudem kommt es durch verschiedene Prozesse zu einer Kontaktflächenanpassung der gebondeten Wafer. Die Bildung von Grenzflächenblasen läßt sich durch das Bonden vorstrukturierter Siliziumoberflächen vermeiden.
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