Nichtkonventionelle, hochauflösende Kathodolumineszenz (KL) im Rasterelektronenmikroskop (REM) und KL µ-Spektroskopie bei tiefen Temperaturen sowie in-situ KL-Mikroskopie von Versetzungsbewegungen wird zum detaillierten Studium der intrinsischen Rekombinationsaktivität und der rekombinationsinduzierten Versetzungsbewegung (REDM-Effekt) von Gleitversetzungen in CdTe und GaAs als typische Vertreter der kristallinen Halbleiter mit Zinkblendestruktur benutzt. Systematische Untersuchungen kristallographisch definierter Defektstrukturen, erzeugt im Spannungsfeld von Mikroindentierungen und Ritzen auf (001)-, (110)- und ±(111)-Oberflächen, geben Aufschluss über die versetzungsinduzierte Rekombinationsaktivität in allen Fällen polarer 60°- und Schraubenversetzungsliniensegmente. Im CdTe ist ein signifikanter Unterschied in der Rekombinationsaktivität der A(g)- und B(g)-Versetzungen festzustellen. A(g)-Versetzungen wirken als nichtstrahlende Rekombinationszentren, während B(g)-Versetzungen als strahlende Zentren identifiziert werden, die die sogenannte Y-Lumineszenz bei 1,476eV (20K) emittieren. In-situ Deformation bei tiefen Temperaturen bestätigt die intrinsische Eigenschaft der Y-Lumineszenz, die an frisch erzeugten Te(g)-Versetzungen (bewegliche helle KL-Defektkontraste) während der Indentierung beobachtet werden kann. Im GaAs sind dagegen beide polaren Gleitversetzungstypen und die Schraubenversetzungssegmente Zentren nichtstrahlender Rekombination, sie können anhand ihres Defektkontrastes nicht unterschieden werden. Dynamische REM-KL Mikroskopie (Dyn SEM-CL) wird benutzt, um die Nukleation und Ausbreitung oberflächenparalleler Versetzungsschleifen mittels REDM-Effekt auf ±(111)-Oberflächen von GaAs zu untersuchen. In diesem Fall können die gesamten Eigenschaften der Versetzungsbewegung von polaren 60°- und Schaubenversetzungen im {111}-Gleitsystem simultan beobachtet werden. Zusätzlich wurde die in-situ Bildung von elektronisch aktiven perfekten 30°- und 90°-Versetzungen registriert. Auf weitere Details des Verhältnisses der rekombinationsinduzierten Nukleation und Bewegung polarer Defektstrukturen wird eingegangen. CdTe und GaAs zeigen unterschiedliche REDM-Aktivitäten.
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