Das epitaktische Wachstum dünner Schichten spielt, bedingt durch die speziellen Eigenschaften dieser Schichten, in der Industrie seit langem eine wichtige Rolle. So werden bei der Herstellung von magnetische Speichermedien höchster Speicherdichte zunehmend dünne epitaktisch gewachsene Metallfilme auf Ruthenium verwendet. Wesentlicher Inhalt der Arbeit war es, das Wachstumsverhalten von Kupferschichten auf der Ru(0001)-Oberfläche bei Temperaturen im Bereich von 100 K bis Raumtemperatur zu untersuchen. Daneben werden strukturelle Eigenschaften der gewachsenen Kupferfilme angegeben. Im gesamten Temperaturbereich wurde dreidimensionales Multilagenwachstum gefunden. Die Untersuchungen zeigten, daß bei Temperaturen unterhalb von 160 K das Wachstumsverhalten und die strukturellen Eigenschaften der Inseln starke Veränderungen aufweisen. Diese Beobachtungen werden im Zusammenhang mit Keimbildungstheorien diskutiert. Durch eine chemische Modifizierung der Ruthenium-Oberfläche durch Sauerstoff wird ein deutlicher Einfluß auf das Wachstumsverhalten erwartet. Ein weiteres Ziel dieser Arbeit war es, diese Modifizierung beim Wachstum von Kupferfilmen auf der mit der O(2x2)- und O(2x1)-Struktur präparierten Ru(0001)-Oberfläche darzustellen. Hier wurden deutliche Unterschiede im Vergleich zur sauerstofffreien Ru(0001)-Oberfläche gefunden. Die Wechselwirkungen des Sauerstoffs mit den wachsenden Filmstrukturen wurden in Abhängigkeit von der Sauerstoffbedeckung und der Temperatur gezeigt. |