In dieser Arbeit werden die Bedingungen und Möglichkeiten zur Herstellung von Nanostrukturen bis in den Bereich der atomaren Manipulation untersucht. Die Dissertation gliedert sich dabei in drei Schwerpunktbereiche. Neben der Untersuchung einer Auslösung von Atomen der Si(111)7x7-Oberfläche wird auch das Verhalten der ausgelösten Atome analysiert. Die lokale Wasserstoff-Desorption von der Si(111)1x1:H-Oberfläche und deren Präparation bildet einen weiteren Schwerpunkt der Arbeit. Aus der Analyse der Zerfallskinetik von mit dem Rastertunnelmikroskop hergestellten Nanostrukturen werden Informationen über die zu Grunde liegenden Elementarprozesse und Energiebarrieren gewonnen. Aus Untersuchungen künstlich hergestellter Strukturen sowohl im atomaren Maßstab als auch im Nanometerbereich werden Rückschlüsse auf die physikalischen Eigenschaften von Oberflächen gezogen. Im Rahmen der Untersuchungen konnte festgestellt werden, dass die Leitfähigkeit von Kontakten auf Si(111)7x7 ist mehr als eine Größenordnung höher ist als auf der Si(111)1x1:H-Oberfläche. Ursache hierfür ist die durch Oberflächenzustände hervorgerufene Leitfähigkeit. Erstmals wird die Manipulation einzelner Atome der Si(111)7x7-Oberfläche allein durch eine feldfreie Annäherung der Spitze an ein Atom realisiert. Bei der Manipulation von Atomen werden Fluktuationen innerhalb einer Einheitszellenhälfte der 7x7-Rekonstruktion beobachtet, die an Hand verschiedener Experimente einem ausgelösten Atom zugeordnet werden können. Das Wachstum der stapelfehlerfreien Bereiche bei der Adsorption von H auf Si(111)7x7 bei 650 K erfolgt stets in Richtung [|1||1|2] bzw. äquivalenten Richtungen. Die Zeitabhängigkeit des Zerfalls von Loch- und Inselstrukturen zeigt einen Verlauf proportional zu tb, mit einem Exponenten b im Bereich von 2/3. Daraus kann ein diffusionskontrolliertes Zerfallsgesetz abgeleitet werden. Die Temperaturabhängigkeit der Zerfallsraten liefert eine Aktivierungsenergie von (1,49±0,12) eV für den Zerfall von Nanostrukturen auf Si(111)7x7. Diese Energie entspricht der Summe aus Diffusionsenergie und der Ablösearbeit eines Atom von einer Stufenkante. Unterschiede in der Aktivierungsenergie des Zerfalls von Loch- und Inselsstrukturen können innerhalb der Fehlergrenzen nicht festgestellt werden, was gleichbedeutend zu einer verschwindend kleinen Schwoebel-Barriere ist. Aus der Arrheniusdarstellung lässt sich ein Vorfaktor für die Diffusion von D0nS= 5,5·1011±1 s-1 bestimmen. Dieser Wert deutet auf eine Diffusion einzelner Atome hin. Die unterschiedlichen Anlagerungsraten verschiedener Stufenkanten sind die Ursache für beobachtete Vorzugsrichtungen beim Ausheilen von Lochstrukturen bei hohen Temperaturen.
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