Im Mittelpunkt dieser Arbeit steht die Charakterisierung leerstellenartiger Defekte im Siliziumkarbid, wie sie nach der Kristallzucht oder durch Bestrahlung bzw. Ionenimplantation zu finden sind. Leerstellenartige Defekte besitzen einen nicht zu vernachlässigenden Einfluss auf die elektrischen und optischen Eigenschaften von Halbleitern. Bauelementstrukturen auf SiC-Basis werden ausschließlich durch Ionenimplantationen durchgeführt. Die dabei auftretenden Kristalldefekte wurden mit der Positronen-Annihilations-Spektroskopie untersucht und mit anderen Untersuchungsmethoden, wie DLTS und EPR, verglichen. Ausgangspunkt der Arbeit ist die Untersuchung von Substratkristallen. In ihnen konnten Kohlenstoff-Leerstellen und Doppelleerstellen mit der Positronen-Lebensdauer-Spektroskopie nachgewiesen werden. Nach der Bestrahlung mit Elektronen einer Energie von 2 MeV wurden zusätzlich Silizium-Leerstellen detektiert. Ausheilstudien und Positronen-Lebensdauer-Untersuchungen unter monochromatischer Beleuchtung korellierten die Silizium-Leerstellen mit dem E1/E2-Defekt, detektiert mit Hilfe der DLTS an Elektronen-Bestrahlten 6H SiC. Ein weiterer Schwerpunkt ist die Untersuchung von Schichtsystemen, wie sie bei epitaktischen Wafern auf SiC-Basis vorliegen. 4H- und 6H-SiC Epitaxieschichten wurden nach Elektronenbestrahlung und Ionenimplantation (He, B, Si, C) mit der Dopplerverbreiterungs-Spektroskopie und der Positronen-Lebensdauer-Spektroskopie untersucht. Des Weiteren wurde die Gültigkeit existierender Diffusionsmodelle für Bor in SiC untersucht.
|