Die komplexe elektronische Struktur der 3d-Übergangsmetalloxide, wie z.B. NiO und CoO mit einem hochkorrelierten Elektronensystem, wurde über viele Jahre hinweg untersucht und diskutiert und war bis vor ein paar Jahren noch nicht vollständig verstanden. Diese Arbeit beschäftigt sich mit dem Wachstum von NiO und CoO auf einer Silberoberfläche mit (001)-Orientierung. Mittels kombinierter Anwendung von Rastertunnelmikroskopie (STM) und -spektroskopie (STS) werden ausgehend von der Monolagenbedeckung die Entwicklung der strukturellen aber auch der elektronischen Eigenschaften untersucht. Es zeigte sich, dass mittels Einzelpunktspektroskopie der unbesetzten Zustände, die lokale Schichtdicke bestimmt werden kann. Bei erhöhten Temperaturen wurde ein massiver Materialtransport gefunden. Die erste Stufe dieses Transportprozesses, welcher bei beiden Oxid/Metall-Systemen auftritt, konnte auf die Einbettung einer zusätzlichen Lage Oxid mit rechteckiger Form an der vergrabenen Grenzfläche zurückgeführt werden. Neben der Strukturbildung wurde für NiO auf Ag(001) wurde die Entwicklung der elektronischen Struktur hin zu Volumeneigenschaften betrachtet, wobei Oberflächen und Volumenzustände identifiziert werden konnten. Des weiteren werden Untersuchungen lokaler Unterschiede in der elektronischen Struktur, sowie Defektstrukturen und das Wachstum von Ni-Clustern auf NiO/Ag(001) vorgestellt. In einem weiteren Kapitel dieser Arbeit wird auf STM- und STS-Untersuchungen an Stark-verschobenen Bildpotenzialzuständen sowie an vergrabenen Argondefekten eingegangen. Aus der vorliegenden Arbeit ist zu erkennen, dass das mit dem hier verfeinerte Verfahren der kombinierten STM/STS-Messung eine Untersuchungstechnik bereitsteht, die sich für die detailliertere Charakterisierung anderer und komplizierterer Oxid/Substratsysteme nutzen lässt.
|