Titelaufnahme

Titel
Wachstum und Charakterisierung von InSb-Nanodrahtstrukturen / von Alexander Vogel
VerfasserVogel, Alexander
BetreuerSchmidt, Georg Prof. Dr. ; Fontcuberta i Morral, Anna Prof. Dr. ; Wehrspohn, Ralf B. Prof. Dr.
Erschienen2011 ; Halle, Saale : Universitäts- und Landesbibliothek Sachsen-Anhalt, 2011
UmfangOnline-Ressource (VII, 122 S. = 36,51 mb)
HochschulschriftHalle, Univ., Naturwissenschaftliche Fakultät II, Diss., 2011
Anmerkung
Tag der Verteidigung: 12.12.2011
Sprache der Zusammenfassung: Englisch
SpracheDeutsch
DokumenttypE-Book
SchlagwörterNanodraht / Epitaxie / Halle
URNurn:nbn:de:gbv:3:4-6711 
Zugriffsbeschränkung
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Wachstum und Charakterisierung von InSb-Nanodrahtstrukturen [36.51 mb]
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Nachweis
Keywords
III-V-Halbleiter; Nanodrähte; Vapor-Liquid-Solid (VLS); Vapor-Solid-Solid (VSS); epitaktisches Wachstum; Chemikalienstrahlepitaxie (CBE); Elektronenmikroskopie; Heterostrukturen
Keywords (Englisch)
III-V semiconductors; nanowires; Vapor-Liquid-Solid (VLS); Vapor-Solid-Solid (VSS); epitaxial growth; Chemical Beam Epitaxy (CBE); electron microscopy; heterostructures
Keywords
Die vorliegende Arbeit beschäftigt sich mit dem Wachstum von InSb-Nanodrähten mithilfe der Chemikalienstrahlepitaxie (CBE). Unter Benutzung eines selbst entwickelten Wachstumssystems wird zunächst das Wachstumsverhalten der InSb-Nanodrähte bestimmt um anschließend die gezüchteten Strukturen auf deren Morphologie strukturellen Aufbau und physikalische Eigenschaften hin zu untersuchen. Die synthetisierten Nanodrähte wurden mithilfe von Rasterelektronenmikroskopie (SEM) Transmissionselektronenmikroskopie (TEM) und Röntgenbeugung (XRD) charakterisiert. Essentielle Ergebnisse der Untersuchungen sind: i) Die planare Defektdichte innerhalb der Nanodrähte kann über die Wachstumstemperatur beeinflusst werden. ii) Die Änderung des Massenflussverhältnisses der Vorläufermaterialien unterdrückt das parasitäre Schichtwachstum sowie das radiale Wachstum der Nanodrähte. iii) Durch die Verwendung geeigneter Wachstumsparameter wurden radiale InSb-GaSb-Heterostrukturen erzeugt und charakterisiert. vi) Es wurden sowohl einzelne Nanodrähte als auch großflächig geordnete Nanodrahtfelder mithilfe lithographischer Prozesse kontaktiert und elektrisch vermessen.