Titelaufnahme

Titel
Thermoelectric transport in semiconducting heterostructures : [kumulative Dissertation] / von Nicki Frank Hinsche
VerfasserHinsche, Nicki Frank
BetreuerMertig, Ingrid Prof. Dr. ; Ernst, Arthur PD Dr. ; Nielsch, Kornelius Prof. Dr.
Erschienen2013 ; Halle, Saale : Universitäts- und Landesbibliothek Sachsen-Anhalt, 2013
UmfangOnline-Ressource (142 Bl. = 13,40 mb)
HochschulschriftHalle, Univ., Naturwissenschaftliche Fakultät II, Diss., 2013
Anmerkung
Tag der Verteidigung: 28.05.2013
Sprache der Zusammenfassung: Deutsch
SpracheEnglisch
DokumenttypE-Book
SchlagwörterHalle
URNurn:nbn:de:gbv:3:4-10116 
Zugriffsbeschränkung
 Das Dokument ist frei verfügbar.
Dateien
Thermoelectric transport in semiconducting heterostructures [13.4 mb]
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Nachweis
Kein Nachweis verfügbar
Keywords
Thermoelektrik; first-principles; Dichtefunktionaltheorie; Boltzmann-Transport-Theorie; Übergitter; Verspannung; Chalcogenide; Silizium; Germanium
Keywords (Englisch)
thermoelectrics; first-principles; density functional theory; Boltzmann transport theory; heterostructures; strain; chalcogenides; silicon; germanium
Keywords
Ziel der vorliegenden Arbeit war es einen tieferen Einblick in den mikroskopischen Ursprung des thermoelektrischen Transports halbleitender Übergitter zu erlangen und Mechanismen offenzulegen welche zu einer gesteigerten thermoelektrischen Umwandlungseffizienz führen können. Ausgehend von "first-principles" Methoden wurde die Elektronenstruktur und die thermoelektrischen Transporteigenschaften der Volumenmaterialen Bi2Te3 Sb2Te3 Si und Ge sowie deren Übergitter Bi2Te3/Sb2Te3 and Si/Ge berechnet und diskutiert. Der Fokus lag hierbei auf dem Einfluss mechanischer Verspannungen Grenzflächenverspannungen variierende Ladungsträgerkonzentrationen Temperatureffekten und Übergitterperioden auf die thermoelektrischen Transporteigenschaften.
Keywords
The scope of this thesis is to understand the microscopic origin of thermoelectric transport in semiconducting heterostructures and to identify and elucidate mechanisms which could lead to enhanced thermoelectric conversion efficiency. Based on first-principles calculations the electronic structure and the related TE transport properties of bulk Bi2Te3 Sb2Te3 Si and Ge as well as their heterostructures Bi2Te3/Sb2Te3 and Si/Ge are determined and discussed. The focus is on the influence of bulk and interfacial strain varying charge carrier concentration temperature and superlattice periods on the TE transport properties.