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| | Nachweis | Kein Nachweis verfügbar |
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| Anisotroper Tunnelmagnetowiderstand; Hanle-Effekt; laterales Spin-Ventil; laterales Tunneln; Organischer Halbleiter; Organisches Spin-Ventil; Organische Spintronik; Oxid; Schattenbedampfung; Widerstandsschalten | |
| Hanle effect; lateral spin valve; lateral tunneling; organic semiconductor; organic spin valve; organic spintronics; oxide; resistive switching; shadow evaporation; tunneling anisotropic magnetoresistance | |
| Der erste Teil der Arbeit behandelt die Herstellung und Charakterisierung von vertikalen OSVs. Letztere erfolgt hauptsächlich durch Transportmessungen bei tiefen Temperaturen. Die wichtigsten Resultate wurden durch Untersuchungen zum Hanle- und TAMR-Effekt erzielt. Anhand aller Ergebnisse wird die Ursache des beobachteten Spin-Ventil-Effekts ersichtlich. Mit Hilfe des entwickelten vollständigen und widerspruchsfreien Modells für diesen durch Tunnelprozesse hervorgerufenen Effekt werden für die charakterisierten Strukturen offene Fragen im Hinblick auf den MR in OSVs beantwortet. In einigen Strukturen wurde auch der RS-Effekt untersucht. Die beobachtete Wechselwirkung zwischen RS- und TAMR-Effekt trug wesentlich dazu bei für ersteren ebenfalls ein konsistentes Modell zu entwickeln. Es beruht auf der Modifikation des Sauerstoffgehalts der La0.7Sr0.3MnO3-Elektrode. Im zweiten Teil der Arbeit wird die Entwicklung eines neuen Schattenbedampfungs-Prozesses zur Herstellung lateraler OSVs (Kanallänge < 100nm) vorgestellt. Erste Ergebnisse zeigen dass in diesen Strukturen ein großer MR bei Raumtemperatur erzielt werden kann. | |
| In the first part of this thesis the fabrication and characterisation of vertical OSVs is described. The focus concerning the latter is on transport measurements carried out at low temperatures. The most important results were gained by the investigation of the Hanle and the TAMR effect. On the basis of all findings the physics behind the observed spin-valve effect can be unveiled. Thus a complete and consistent model for the unambiguously tunneling-based MR is provided. Hereby for the devices under investigation a lot of open questions related to the MR in OSVs are answered. Furthermore the RS effect was extensively studied in some of the structures. A key finding of these experiments is the observed interplay between the TAMR and RS. Also for the RS a fully consistent explanation is given which is based on the modification of the La0.7Sr0.3MnO3 electrode’s oxygen stoichiometry. In the second part of the thesis the development of a new shadow-evaporation-based fabrication process for lateral OSVs with a sub-100nm channel-length is presented. Preliminary results show that working devices are achieved which exhibit a large MR effect at room temperature. |
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