Titelaufnahme

Titel
The origins of non-ideal current-voltage characteristics of silicon solar cells / von Jan Bauer
VerfasserBauer, Jan
BetreuerWehrspohn, Ralf B. Prof. Dr. ; Breitenstein, Otwin PD Dr. ; Möller, Hans-Joachim Prof. Dr.
Erschienen2009 ; Halle, Saale : Universitäts- und Landesbibliothek Sachsen-Anhalt, 2009
UmfangOnline-Ressource (108 S. = 54,31 mb) : graph. Darst., Ill.
HochschulschriftHalle, Univ., Naturwissenschaftliche Fakultät II, Diss., 2009
Anmerkung
Tag der Verteidigung: 18.12.2009
Sprache der Zusammenfassung: Deutsch
SpracheEnglisch
DokumenttypE-Book
SchlagwörterSilicium / Solarzelle / Strom-Spannungs-Kennlinie / Infrarotthermographie / Halle
URNurn:nbn:de:gbv:3:4-1951 
Zugriffsbeschränkung
 Das Dokument ist frei verfügbar.
Dateien
The origins of non-ideal current-voltage characteristics of silicon solar cells [54.3 mb]
Links
Nachweis
Keywords
Silicium-Solarzelle; Strom-Spannungskennlinie; Lock-in-Thermografie; Rückwärtskennlinie; Durchbruch; Rekombinationsstrom; Diffusionsstrom; Shunts; SiC-Ausscheidungen
Keywords (Englisch)
silicon solar cell; current-voltage characteristic; lock-in thermography; reverse characteristic; breakdown; recombination current; diffusion current; shunts; SiC precipitates.
Keywords
In dieser Arbeit werden die Ursachen für nichtideales Verhalten von Strom-Spannungskennlinien von multikristallinen Silicium-Solarzellen untersucht und neue Lock-in-Thermografiemethoden vorgestellt. Ausgehend von der idealen Strom-Spannungskennlinie wird gezeigt welche physikalischen Ursachen diesen Abweichungen zu Grunde liegen. Dabei wird zunächst auf in Durchlassrichtung geschaltete Solarzellen eingegangen insbesondere auf deren Serien- und Parallelwiderstand (Shuntwiderstand) und Diffusions- und Rekombinationsstrom. Des Weiteren werden SiC-Ausscheidungen die die Ursache von sehr niedrigen Shuntwiderständen in Solarzellen sind und deren Wachstum untersucht. Im Hauptteil der Arbeit wird auf das Verhalten von Solarzellen in Sperrrichtung eingegangen. Ursachen von unterschiedlichen elektrischen Durchbrüchen in Solarzellen und deren Charakterisierung werden beschrieben. Neu entwickelte Lock-in-Thermografiemethoden werden gezeigt mit deren Hilfe physikalische Parameter (z. B. der Temperaturkoeffizient) der elektrischen Durchbrüche gemessen werden können.