Die vorliegende Arbeit beschäftigt sich mit der systematischen Untersuchung der Defekteigenschaften des Verbindungshalbleiters Galliumarsenid (GaAs). Als experimentelle Methode dafür wurde überwiegend die Positronen-Annihilation-Spektroskopie (PAS) angewendet. Der Schwerpunkt der Untersuchung war der Nachweis und die Identifizierung von leerstellenartigen Defekten bzw. ihren Komplexen in n-Typ Si-dotiertem (GaAs:Si) und semi-isolierenden (SI) GaAs. Es war schon zu Begin der Arbeit bekannt, daß der SiGaVGa-Komplex für die Erhöhung des Kompensationsgrades in dem hoch Si-dotiertem GaAs verantwortlich ist. Dabei wurde angenommen, dass die Konzentration der Komplexe nur eine Funktion der Dotierung ist. Es wurde erst in dieser Arbeit gezeigt, dass eine Wechselwirkung zwischen den Leerstellenkomplexen und der Versetzungsdichte in einem GaAs:Si-Kristall besteht: die Bildung der SiGaVGa Komplexe wird durch eine hohe Versetzungsdichte stark unterdrückt. Des Weiteren wurde in Kombination mit Kathodolumineszenz-Messungen ein anderer leerstellenartiger Defekt in GaAs:Si nachgewiesen, der dem 0.95 eV Lumineszenzband entspricht. Wie mit Hilfe der Doppler-Koinzidenzspektroskopie festgestellt wurde, beinhaltet dieser Defekt eine Galliumleerstelle (VGa). Im Gegenteil zu n-Typ GaAs werden in SI GaAs bei hohen Temperaturen Arsenleerstellen (VAs) gebildet. Das wurde am Beispiel von GaAs:Si und SI GaAs gezeigt, indem die Leerstellendichten als Funktion des As-Dampfdruckes untersucht wurden. Die Leerstellenkonzentration in Si-dotiertem Material stieg mit dem As-Druck, wobei sie in SI GaAs deutlich abnahm. Das weist darauf hin, dass die Leerstellenbildung auf verschiedenen Untergittern beobachtet wurde. Ein wichtiges Ergebnis wurde bei der Untersuchung des mit Si- und Te-Atomen co-dotierten GaAs erzielt. Das Vorhandensein von zwei einzelleerstellenartigen Defekten konnte mit Hilfe der temperaturabhängigen PAS-Messungen nachgewiesen werden. Damit wurde die prinzipielle Möglichkeit gezeigt, die verschiedene Arten von Leerstellen aufgrund des Temperaturverhalten ihrer Positroneneinfangrate zu unterscheiden.
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