Photonische Kristalle sind gitterperiodische Anordnungen von Materialien mit unterschiedlichem Brechungsindex und lassen sich mit festkörperphysikalischen Methoden behandeln. Für das Licht ergibt sich eine Dispersionsrelation ähnlich der Bandstruktur der Elektronen. Ein Modellsystem eines zweidimensionalen photonischen Kristalles ist das makroporöse Silizium. Es bietet die Möglichkeit, prinzipielle Eigenschaften photonischer Kristalle experimentell zu untersuchen. Von besonderem Interesse ist der Prozeß der Lichtemission innerhalb des Kristalls. Zu diesem Zweck wurde ein definierter Infiltrationsprozeß entwickelt, der es ermöglicht, das makroporöse Silizium mit HgTe-Quantenpunktemittern zu funktionalisieren. Die spektrale Modifikation des Emissionsverhalten wird dargestellt. Die Erzeugung von Defektstrukturen bewirkt eine Lokalisierung des Lichtes innerhalb des photonischen Kristalls. Um diese Lokalisierung zu untersuchen, wurden periodische Überstrukturen von Punktdefekten innerhalb des makroporösen Siliziums erzeugt. In Abhängigkeit von der Defektkonzentration wird die Wechselwirkung der Punktdefekte untereinander sowie die Gruppengeschwindigkeit des Lichtes im Kristall quantitativ beschrieben. Das Design der einzelnen Punktdefekte ermöglichte die gezielte Infiltration mit HgTe-Quantenpunktemittern. Die Kopplungsbedingungen dieser Emitter an die Resonatormoden der Punktdefekte werden detailliert dargestellt.
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