Die vorliegende Arbeit beinhaltet systematische Untersuchungen dynamischer und elektrischer Eigenschaften von Versetzungen in ZnO Einkristallen. Auf Basis der konventionellen Kathodolumineszenzmikroskopie im Rasterelektronenmikroskop (REM-KL) und der neuentwickelten kinematischen REM-KL-Mode wurden die plastische Deformation, die Aktivierung unterschiedlicher Gleitsysteme sowie die Entstehung und Verbreitung von Gleitversetzungen in Beziehung zum lokalen Kathodolumineszenzverhalten untersucht. Es wurde eine gleichzeitige Aktivierung von basalen und prismatischen Gleitsystemen mit niedriger Peierls-Spannung bei Temperaturen von 70K bis 300K beobachtet, diese Systeme wurden als {0001} und {10-10} identifiziert. Im theoretischen Teil der Arbeit wurden Versetzungsloopstrukturen konstruiert, dabei wurden die Segmente der Versetzungshaupttypen desWurtzite-Gitters benutzt. Das ermöglicht die Beschreibung der Ausbreitung von Gleitversetzungen in ZnO. Es wurden neuen Methoden zur quantitativen Analyse des Defektkontrastverhaltens in KL-Mikrobildern und KL-Filmen entwickelt, um eine mögliche Verbindung zwischen Typ, Dynamik und den electronischen Eigenschaften der Gleitversetzungen zu finden. Zum ersten Mal konnte eine Typeabhängigkeit der Dynamik und Rekombinations- aktivitaet von Stufen- und Schraubentypversetzungen in Basalgleitsystemen sowie insbesondere für die polaren B(g)- und A(g)-Versetzungssegmente aufgezeigt werden. Darueber hinaus wurde eine schwache Verringerung des dynamischen KL-Kontraste bei einer Vergrößerung der Gleitgeschwindigkeit festgestellt.
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