Im Rahmen dieser Arbeit erfolgte die Untersuchung grundlegender Prozesse für das Silizium-Whiskerwachstum. Erstmalig wurden Si-Nanowhisker unter UHV-Bedingungen mittels der Molekularstrahlepitaxie (MBE) erzeugt und anschließend mit verschiedenen Untersuchungsmethoden charakterisiert. Das Wachstum von Si-Nanowhiskern unter MBE-Bedingungen wird durch den VLS (Vapour-Liqiud-Solid)-Mechanismus und durch Oberflächendiffusion von Si-Atomen bestimmt. Voraussetzung für diese Wachstumsmethode sind Au/Si-Tropfen auf einer Si(111)-Substratoberfläche. Untersuchungen zum zeitlichen Verhalten der Au/Si-Tropfen während des Whiskerwachstums zeigen mit zunehmender Wachstumszeit eine Absenkung der Anzahl von kleinen Tropfen bzw. Whiskern. Dieses Verhalten, d.h. das Auflösen kleinerer Tropfen/Whisker und im Gegenzug dazu das Wachsen größerer Tropfen/Whiskern kann mit Hilfe der Ostwaldreifung erklärt werden. Der hier auftretende diffusionsbestimmte Stoffübergang von Gold wird theoretisch durch die Lifshitz-Slyozov-Wagner (LSW)-Theorie beschrieben. Nach dieser Theorie wachsen nur Whisker, deren Radien größer als die kritischen Radien sind. Die Whiskerradien sind temperaturabhängig, während analoge Whiskerlängen für identische Wachstumszeiten existieren. Elektronenmikroskopische Untersuchungen zeigen, dass alle Whisker einen hexagonalen, aber keinen zylindrischen, Habitus besitzen. Die während des Wachstums sich ausbildenden Facettenflächen sind kristallographische (111)-Flächen.
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